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免费下载广东工业大学《模拟电子技术》试卷及答案

  • 资源类别:试卷
  • 资源分类:电子电工
  • 适用专业:模拟电子技术
  • 适用年级:大学
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资料简介
广东工业大学《模拟电子技术》试卷及答案,计算题无答案
一、填空题(每题2分,共20分)
PN结反向偏置时,PN结的内电场被____增强_______。
共射放大电路,将IEQ增大,Rbe将______减小____。
3、双极型晶体管是 电流 (电流,电压)控制型元件; 场效应管是 ( 电压 (电流,电压)控制型元件。双极型晶体管输入电阻较 小 (大,小);场效应管输入电阻很 大 (大,小)。
4. 在共射、共集、共基三种基本组态电路中,希望工作频率较高的电路是 共基 ;希望带负载能力最强的电路是 共集 。
5、某晶体管的电路如图1所示,则该管工作在 饱和 状态。
6、某MOS放大电路的外部电路如图2所示,由图即可判断该管是( 耗尽 )型MOS管。
7、测得某晶体管三个极的电位如图3所示,则该管工作在状态。
8、晶体管“集----基”极间反向饱和电流为ICBO,则“集----射”极间的反向饱和电流ICEO为________。
9、在BJT三种组态放大电路中,电流放大倍数最高的是____,输入电阻最小的是______.
10、晶体管阻容耦合放大器电路中,高频时放大倍数下降的主要原因是_的影响;低频时放大倍数下降的主要原因是__的影响。
二.. .项选择题(每小题2分,共12分)在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
11.在本征半导体中掺入三价元素后的半导体为 ()
(A)本征半导体 (B)p型半导体 ()n型半导体 
12.带射极电阻Re的共射放大电路,在并联交流旁路电容Ce,后其电压放大倍数()
A. 减小  B. 增大 C. 不变 D. 变为零
13.场效应管放大电路的输入电阻,主要由()决定
A.管子类型 B.gm C.偏置电路 D.UGS
14.晶体三极管基极电流IB=0.02mA,发射极电流IE=1.02mA,其电流放大系数β、α分别为(  )。
A.51、0.98 B.50、0.98 C.49、0.98 D.48、0.98
15.某放大电路最大源电压增益Avsm=40dB,则在上限频率fH处的源电压增益为(  )dB。
A.35 B.37 C.40 D.43
16.输入信号vi的频率范围为50Hz~20kHz,应选择下限频率fL和上限频率fH分别为(  )的放大电路,才能对信号进行不失真放大。
A.≤50Hz、≥15kHz B. ≤100Hz、≥15kHz
C. ≤50Hz、≥20kHz D. ≤100Hz、≥20kHz
三、 计算题(共68分)
1.已知:
电路如图示,试回答下列问题:(1)写出直流负载线表达式,在图(b)上画出直流负载线,求静态工作点(;(2)画出微变有效电路,求出电压放大倍数ri、ro ,(3)求最大不失真电压。(12分)
......
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