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2009年模拟电路基础复习材料及答案
一、填空题
1．在P型半导体中，多数载流子是（ 空隙 ），而少数载流子是（ 自由电子 ）。
2．在N型半导体中，多数载流子是（ 电子 ），而少数载流子是（ 空隙 ）。
3．当PN结反向偏置时，电源的正极应接（ N ）区，电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时，电源的正极应接（ P ）区，电源的负极应接（ N ）区。
5．为了保证三极管工作在放大区，应使发射结（ 正向 ）偏置，集电结（ 反向 ）偏置。
6．根据理论分析，PN结的伏安特性为,其中被称为（ 反向饱和 ）
电流，在室温下约等于（ 26mV ）。
7．BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（ 漏极 ）、（ 栅极 ）和（ 源极 ）与之对应。
8．在放大器中，为稳定输出电压，应采用（ 电压取样 ）负反馈，为稳定输出电流，应采用（ 电流取样 ）负反馈。
9．在负反馈放大器中，为提高输入电阻，应采用（串联－电压求和）负反馈，为降低输出电阻，应采用（ 电压取样 ）负反馈。
10. 放大器电路中引入负反馈主要是为了改善放大器（ 的电性能 ）。
11．在BJT放大电路的三种组态中，（ 共集电极 ）组态输入电阻最大，输出电阻最小。（ 共射 ）组态即有电压放大作用，又有电流放大作用。
12. 在BJT放大电路的三种组态中，（ 共集电极 ）组态的电压放大倍数小于1，（ 共基 ）组态的电流放大倍数小于1。
13．差分放大电路的共模抑制比KCMR＝（ ），通常希望差分放大电路的共模抑制比越（ 大 ）越好。
14．从三极管内部制造工艺看，主要有两大特点，一是发射区（ 高掺杂 ），二是基区很 （ 薄 ）并掺杂浓度（ 最低 ）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后，它的差模放大倍数将（ 不变 ），而共模放大倍数将（ 减小 ），共模抑制比将（ 增大 ）。
16．多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（ 阻容 ），（ 变压器 ）和（ 直接 ）耦合三种。
17．直接耦合放大器的最突出的缺点是（ 零点漂移 ）。
18，集成运放主要由（ 输入级 ），（ 中间放大级 ），（ 输出级 ）和（ 偏置电路 ）4部分组成。
19．BJT三极管的直流偏置电路通常有（ 固定基流 ）电路和（ 分压式 ）电路两种。
20．负反馈放大电路增益的一般表达式,当时，这种反馈称
为（ 负反馈 ）；当时，这种反馈称为（ 正反馈 ）。