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中国计量学院2007~2008学年第1学期《微机原理及其应用》课程考试试卷及答案（A）
单选题（每题2分，共20分）
十进制数115其对应的十六进制可表示为（B）A、8FH B、73H C、8、8EH D、7EH
8031复位后，PC与SP的值为（B） A、0000H，00H B、0000H，07H C、0003H，07H D、0800H，00H
提高单片机的晶振频率，则机器周期（C） A、不变 B、变长 C、变短 D、不定
8051的内部RAM中，可以进行位寻址的地址空间为（B） A、00H~2FH B、20H~2FH C?、00H~1FH D、20H~FFH
8051单片机共有（B）个中断源?? A、4 B、5 C、6 D、7
下列指令中不影响标志位CY的指令有（D）A、ADD A，20H B、CLR C、RRC A D、INC A
指令和程序是以（C）形式存放在程序存储器中A、源程序 B、汇编程序 C、二进制编码 D、BCD码
8031的P0□，当使用外部存储器时它是一个（ D ）A、高8位地址□ B、低8位地址□ C、低8位数据□ D、低8位地址/数据总线□9. 执行MOVC A,@A+PC时，WR、RD脚的电平为(A)
A、WR高电平，RD高电平 B、WR低电平，RD高电平C、WR高电平，RD低电平 D、WR低电平，RD低电平
当标志寄存器PSW的RS1和RS0分别为1和0时，则当前工作寄存器组R0～R7的地址为（ B
)
A. 20H～2FH B.10H～17H C.00H～07H D. 30H～3FH
填空题（每空1分，共22分）
MCS-51单片机的三总线结构是指 地址总线 、 数据总线 、 控制总线 。
在ALE的高电平期间，P0口上一般出现 地址 信息，在ALE低电平期间，P0口上一般出现指令和数据信息。
P1口用作输入口时，对应的口锁存器必须先写入1。
对系统堆栈区的操作，必须遵循 先进后出 的原则。
8032单片机访问高128字节RAM采用 寄存器间接 寻址方式，访问特殊功能寄存器采用直接寻址方式。
一个基准电压为5V的8位AD，其最小能够分辨的输入电压为0.02V。
一个RAM芯片的地址线为A0～A13，则其存储容量为 16k ，其最后一个存储单元的基本地址为 3FFFH 。
已知系统晶振为12MHz,T0在方式1下工作，如要产生50ms定时中断，则T0的计数初值应设为 15536 。
已知（SP）=60H，（DPTR）=3456H，在执行下列指令后，
PUSH DPH
PUSH DPL
（SP）=_ 62H __，内部RAM（61H）=__ 34H __。
如执行下面程序后，则（DPTR）= 7FFFH ,（SP）= 52H , 片内（52H）＝ 60H 。
MOV SP,#50H