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深圳大学《电力电子技术》考试复习题及答案
第一章
填空题：
1.电力电子器件一般工作在开关状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
3.电力电子器件组成的系统，一般由主电路、驱动电路、 控制电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件 、 双极型器件 、复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为单向导通。
6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、 肖特基二极管。
7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL大于IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM小于Ubo。
11.逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的阴极和门极在器件内并联结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为二次击穿。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。
15.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。
16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而略有下降，开关速度低于电力MOSFET 。
17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路。
18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电流驱动和电压驱动两类。
19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是负脉冲。
20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是使基极驱动电流不进入放大区和饱和区。
21.抑制过电压的方法之一是用储能元件吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于小功率装置的保护 。22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用快恢复型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是静态均压措施，给每只管子并联RC支路是动态均流措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用先串后并的方法。
24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有正温度系数。
25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO GTR IGBT MOSFET；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET，属于双极型器件的有GTR 电力二极管 晶闸管 GTO，属于复合型电力电子器件得有IGBT；在可控的器件中，容量最大的是GTO，工作频率最高的是IGBT，属于电压驱动的是IGBT 电力MOSFET，属于电流驱动的是GTO GTR。
　1.应用电力电子器件的系统组成如题图1-27所示，试说明其中各个电路的作用？