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武汉工程技术学院2008年秋季《电子技术》期末考试试卷A卷
一、 填空（每空1分，计20分）
1、P型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 。
2、硅二极管的死区电压约为 伏，正向压降约为 伏。
3、确定放大电路静态值的方法有 法和 法。
4、微变等效电路分析法是建立在 和 工作区的基础上 。
5、按从输出端取出的反馈信号不同，反馈可分为 反馈和 反馈。
6、差分放大电路可用来放大 信号，抑制 信号。
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武汉工程技术学院2008年秋季《电子技术》期末考试试卷B卷
一、 填空（每空1分，计20分）
1、N型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 。
2、锗二极管的死区电压约为 伏，正向压降约为 伏。
3、分析放大电路动态的两种基本方法是 电路法和 法。
4、动态时放大电路的一个重要特点是电路中间同时存在 分量和 分量。
5、按反馈信号在输入端的接法不同， 反馈可分为 反馈和 反馈。
6、运算放大电器实质上是一个电压放大倍数高，输入电阻 和输出电阻 的直接耦合多级放大电路。
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