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武汉理工大学网络学院电子信息工程专业05年第一学期电子技术模拟试题一及答案
一、选择填空(每空1分，共20分)
1．纯净的半导体叫（）。掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。
A．空穴　B．本征半导体　C．P型半导体　D．自由电子
2． PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。
A．扩散　B．漂移　C．小　D．大
3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。
A．双极　B．空穴　C．单极　D．自由电子
4．负反馈放大电路的含义是（）。
A．输出与输入之间有信号通路
B．电路中存在反向传输的信号通路
C．除放大电路之外还有信号通路
D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号
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武汉理工大学网络学院电子信息工程专业05年第一学期电子技术模拟试题三及答案
一、选择填空(每空1分，共20分)
1．在本征半导体中，掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它的多子是（）。
A．N型半导体　B．P型半导体　C．电子　D．空穴
2．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。
A． 增大　B． 不变　C． 减小
3．PN结反偏时，空间电荷区（），多子的扩散运动被阻止，只有少子的（）运动形成反向饱和电流。
A．变厚　B．扩散　C．漂移　D．变薄
4．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。
A．便于设计　B．放大交流信号　C．不易制作大容量电容
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武汉理工大学网络学院电子信息工程专业05年第一学期电子技术模拟试题四及答案
一、选择填空(每空1分，共20分)
1．在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体，加入（）元素可形成P型半导体。
A．五价　B．四价通八达　C．三价
2．PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。
A．变宽　B．基本不变　C．变窄
3．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）少数载流子的浓度则与（）有很大的关系。
A．温度　B．少子寿命　C．杂质浓度　D．晶体缺陷
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