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免费下载合肥工业大学《半导体器件物理》试卷(2份,有答案)

  • 资源类别:试卷
  • 资源分类:电子电工
  • 适用专业:半导体器件物理
  • 适用年级:大学
  • 上传用户:碧海甄情
  • 文件格式:word
  • 文件大小:151.38KB
  • 上传时间:2006-9-23 22:42:08
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资料简介
合肥工业大学《半导体器件物理》试卷(一)
一、 填空(共32分,每空2分)
1、 PN结电容可分为 和 两种,它们之间的主要区别 。
2、 当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响,具体地,对于短沟道器件对VT的影响为 ,对于窄沟道器件对VT的影响为 。
3、 在NPN型BJT中其集电极电流IC受 电压控制,其基极电流IB受 电压控制。
4、 硅-绝缘体SOI器件可用标准的MOS工艺制备,该类器件显著的优点是 。
......
《半导体器件物理》试卷(二)
一、 填空(共24分,每空2分)
1、 PN结电击穿的产生机构两种;
2、 双极型晶体管中重掺杂发射区目的;
3、 晶体管特征频率定义;
4、P沟道耗尽型MOSFET阈值电压符号;
5、MOS管饱和区漏极电流不饱和原因;
......
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  • 合肥工业大学《半导体器件物理》试卷(2份,有答案)
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