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铋系多铁氧化物的铁电起源及相关电控磁性机制的第一性原理研究，硕士学位论文，共72页。
【摘要】：多铁性材料是一类同时具有两种或两种以上铁性特征(铁电性、铁磁性、铁弹性或铁涡性)的多功能材料,而其中各种铁性之间存在耦合关系使得多铁性材料具有潜在的应用前景。作为多铁性材料的研究先锋,BiFeO3(BFO)是少数在室温条件下同时具有反铁磁性和铁电性的单相多铁性材料,其磁电耦合效应和电控磁性受到研究者的广泛关注。而作为自旋电子学的一个重要分支,电控磁性成为目前信息科学的研究热点之一,并且在基础研究与信息存储领域有着重要的意义。 目前普遍的观点认为BFO的铁电性起源于Bi-6s孤对电子,但这很难解释四方相BFO的铁电极化强度以及铁电极化方向和磁化易轴存在的耦合关系。本论文采用第一性原理计算方法,结合我们发展的轨道选择性外场(Orbital Selective External Potential, OSEP)方法,阐明了BFO的铁电起源,并揭示了相关电控磁性的物理机制。主要内容和创新点如下： 1和南京大学万贤纲教授合作发展了OSEP方法。该方法可以精确地控制特定原子轨道的移动,有助于研究原子轨道对材料物理和化学性质的影响。OSEP方法可以同时在不同原子轨道上施加外势场,这给研究体系的某些现象或是起源问题提供了多种选择性。 2在间接磁交换体系中发现一种全新的铁电形成机制,磁性相互作用有利于形成铁电相,若磁性能具备克服弹性能的条件,体系会呈现铁电相。以经典的反铁磁材料MnO为例,计算得到双轴压应力可以增加磁性能,降低弹性能,从而导致铁电相的出现。 3研究了BFO的铁电起源。计算发现除了Bi-6s孤对电子对铁电性有影响之外,Fe-3d态对铁电性也有贡献,包括间接超交换作用和Fe-O成键。尤其是在四方相BFO中,由于Fe-O-Fe超交换作用的增强,使得Fe-3d态对铁电性的影响更加明显,铁电极化强度也随之增强。 4研究了类四方相BFO的电控磁有序和金属-绝缘相变。结果发现[001]极化态的BFO在晶格常数为3.91A附近其反铁磁序出现从C1型向G型的转变,而这种改变可以用海森堡交换积分常数Jc和J2c的竞争来解释。同时,由于[111]极化态一直保持在G型反铁磁序,因此在一定条件下外加电场使得铁电极化从[001]转到[111]方向,相应的反铁磁序从C1型转变为G型,从而实现了电控磁有序。而通过计算类四方相BFO的线性和非线性光学性质,发现在低频处二次谐波系数χzzz(2)对C1型反铁磁序的响应要比G型反铁磁序强很多,因此可以通过探测χzzz(2)来区别C1型和G型反铁磁序。应力和铁电极化方向不仅能改变磁有序,也能诱导金属-绝缘相变,当晶格常数逐渐增加时,[001]极化态从绝缘态变为金属态,而[110]极化态却从金属态变为绝缘态,因此在一定的晶格常数下外加电场可以改变铁电极化方向来引起金属-绝缘相变的出现。 5研究了BFO的磁晶各向异性能和净磁矩。计算发现当铁电极化从[111]转到[001]方向时,其磁晶各向异性能将会增加一个数量级,这增强了体系中Dzyaloshinskii-Moriya相互作用。通过考虑BFO的非共线磁序,计算得到磁矩偏角以及净磁矩都会出现明显的增加,从而体现出一种电控净磁矩的效应。
关键词:BiFe03;铁电性;轨道选择性外场;电控磁性;非线性光学;金属-绝缘相变;第一性原理计算

第一章绪论
随着信息技术的发展,人类对信息存储的要求也逐渐提高,因而大量的研究开始关注体积小,密度高,速度快,功耗低和寿命长的信息存储器件。但同时传统的半导体工艺技术已经快要达到理论预计物理极限,难以大幅度提高存储器的性能。所以想要在信息存储领域取得突破性的进展,就必须另辟溪径,寻找出新型材料或是新的理论方法。如今,同时具有铁电性和(反)铁磁性的多铁性材料已经成为多功能材料的研究热点,并受到越来越多研究者的广泛关注[M]。
铁电(铁磁)性材料具有剩余极化(磁化)以及可翻转的极化(磁化)态,这就允许二进制信息存储在它们的两个极化(磁化)态中[5]。目前已经商业化的磁随机存储器(Magnetic Random Access Memory, MRAM)就是利用磁场来控制其磁化方向从而写入信息,并利用不同的磁阻态进行读取[6,7],然而由于MRAM具有较高的矫顽场,需要较大的磁场来控制磁信息写入,因而能耗较高。类似地,铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory, FeRAM)可以通过电场调控铁电极化态,使其具有较快的写入速度和较低的能耗,但同时电学读取具有破坏性[8],这就限制了 FeRAM的广泛应用。如果把低能耗的电学高速写入信息的方法和无破坏性的磁学高速读取信息的方法结合到一起,达到磁读电写的目的,这样可以大幅度地提高信息读写的效率[9]。
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