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免费下载武汉理工大学半导体物理导论考试试题

  • 资源类别:试卷
  • 资源分类:计算机
  • 适用专业:半导体物理导论
  • 适用年级:大学
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  • 文件格式:Word
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  • 上传时间:2010-6-22 12:25:19
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资料简介
武汉理工大学半导体物理导论考试试题
一、判断题。(5×3’=15’)
1、单晶硅原胞中含8个原子,晶胞中含2个原子。 ( )
2.半导体中任何杂质都可根据所处位置区分为间隙式杂质和替代式杂质。 ( )
3.硅、锗的晶格结构为闪锌矿型结构。 ( )
4.迁移率 qτ/m*中的τ是载流子的寿命。 ( )
5、本征半导体的费米能级恰好位于禁带正中央。 ( )
......
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  • 武汉理工大学半导体物理导论考试试题
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