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东莞育才职业技术学校05电子班《电子技术基础》期末考试试卷 一、填空题（每空1分，共25分） 1．晶体三极管按PN结组合方式分为________管和________管。三极管的输出特性曲线分为三个区域，即____...
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浙江理工大学《模拟电子技术基础》试题（1） 一、 填空（共30分，1分/空） 1、在本征半导体中加入 价元素可形成N型半导体，加入 价元素可形成P型半导体。 2、在一个交流放大电路中，测出某三极管三个管脚对地电...
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富阳市二00七年《电子技术基础》高职三模试卷 《模拟电路》部分（满分75分） 一、填空题(每空1分，共14分) 1、N型半导体是在本征半导体中掺入_______价元素构成的，其多数载流子是_______。 2、集...
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富阳市二00七年《电子技术基础》高职一模试卷 《模拟电路》部分（满分75分） 一、填空题（每空格1分，共15分） 1、使用万用表测二极管正向电阻，不同的欧姆档测出的阻值不同，R×100档测出的阻值比R×1K档测出...
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富阳市职业高级中学二00五学年第二学期《电子技术基础》结业会考试卷 一、填空题（每空1. 5分，共30分） 1．晶体管工作在放大状态，发射结必须加 电压，集电结须加 电压。 2．本征半导体掺入五价元素后成为...
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杭州市二00七年《电子技术基础》高职考一模试卷《模拟电路》部分（满分75分） 一、填空题（每空格1分，共15分） 1、使用万用表测二极管正向电阻，不同的欧姆档测出的阻值不同，R×100档测出的阻值比R×1K档测出...
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电子技术基础－检测题习题解析 第1章 检测题 （共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子...
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湖南工程学院电气与信息工程系模拟电子技术基础练习（9份，有答案） 模拟电子技术基础练习一 一. 选择 1、在图示放大电路中，逐渐增大正弦输入电压幅度，发现输出电压出现顶部削平失真，如果这时保持输入不变，增大 ，将...
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06/07学年第1学期考试卷电子技术基础试卷 一 、选择题：（每题2分，共30分） 1、 PN结加正向电压时，其内电场＿＿＿。 A、 减弱 B、增强 C、不变 D、无法确定 2、 当环境温度升高时，二极管的...
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通信工程专业2005 级《模拟电子技术基础》课程期末试卷（闭卷）（A卷） 一、填空题（每空1分，共15分） 1. 由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射...
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浙江大学远程教育学院数字电子技术基础期中试卷及答案 一、请将正确答案填入下列空格： 1、（137）10=（ ）2 =（ ）16 =（ ）8 2、（100001010110）8421 =（ ）10...
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物理工程学院2005—2006年第一学期期中考试模拟电子技术基础（2004级电子信息工程、通信工程） 一、填空题（每空1分，共10分） 1、常用的半导体材料硅（Si）和锗（Ge）均为（ ）价元素。 2、纯净的...
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登云科技职业学院2006-2007学年第一学期期末考试电工电子技术基础试题（A） 一、填空（每空2分，共30分） 1、电荷的 运动称为电流。电流的方向与参考方向 时，电流为正值，电流与参考方向 时电...
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阳江职业技术学院2006/2007学年第一学期期末考试2006级电子技术基础试卷 一、填空题（每小题2分，共20分）。 1、数字电路的基本逻辑关系有 、 、 。 2、逻辑代数中的变量只有 和 ...
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湘南技校2005年下期电工18班《电子技术基础》期末考试试卷 一、填空：（30分） 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为 、 、和 。 2、三极管的三种工作状态分别是 、 和 。 3、功率放...
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江西机电职业技术学院2004～2005学年度第一学期期末考试《 数字电子技术基础 》课程考试试题 ( A卷) 一、填空题（每空1分，共10分） 1、三种基本的逻辑关系是 、 、 。 2、 和 是两种...
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东莞育才职业技术学校2006年春季期中考试试卷05电子班《电子技术基础》试题 一、 填空题（30×1=30） 1、功率放大器简称为 ，对它的要求主要是 尽可能大、 尽可能高、 尽可能小，还要考虑 ...
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对口十八班二零零陆年期末考试《电子技术基础》试卷 一、 用你认为合适的内容填入下列横线上，你办得到。（共４０分） 1、二极管的重要特性是 2、集成运算放大器通常有两个信号输入端，分别是 和 。 ...
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常德工业学校对口班第二次月考试卷《电子技术基础》 一、填空题：（15*2，共30分） 1、 为了减少截止失真与饱和失真，就设置合适的静态工作点，若某放大电路有饱和失真，应将静态工作点Q点 （填上移或下移）；在...
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常德工业学校对口班第一次月考试卷《电子技术基础》部分 一、填空题：（每空3分，共30分） 1、 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为 V和 V。 2、稳压管是一种特殊物质制造的 接触型 ...