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免费下载高三分流班【电子技术基础】08-09年月考试题

  • 资源类别:试卷
  • 资源分类:电子电工
  • 适用专业:电子技术基础
  • 适用年级:中职
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资料简介
高三分流班【电子技术基础】08-09年月考试题
一、单项选择题。(每题2分,共50分)
1.在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于________。
A、温度 B掺杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺陷
2.N型半导体中的多子是________。
A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子
3.在下列说法中只有_________说法是正确的。
A. P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
B. 在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。
C. P型半导体带正电,N型半导体带负电。
D. PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
4.在如图所示的电路中,当电源V1=5V时,测得I=1mA。
若把电源电压调整到V1=10V,则电路中的电流的值将是 _________。(Si二极管)
A. I = 2mA B. I ﹤ 2mA C. I ﹥ 2mA D. I = 0mA
5.如图所示电路中,D1~D3为理想二极管,A、B、C白炽灯泡功率都相同,其中最亮的灯是________。
A. b B. c C. a
......
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