高二《电子技术基础》期中试卷20003.11
- 资源类别：试卷
- 资源分类：电子电工
- 适用专业：电子技术基础
- 适用年级：中职
- 上传用户：賠卜起de泪
- 文件格式：word
- 文件大小：8.46KB
- 上传时间：2006-2-12 19:45:15
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资料简介
高二《电子技术基础》期中试卷20003.11。
......
二、选择题：(每号2分,共20分)
1．N型半导体多数载流子是（ ），少数载流子是（ ）；
P型半导体多数载流子是（ ），少数载流子是（ ）。
A． 空穴 B. 电子
2．PN结在外加电压V的作用下，当PN结正向导通时是指电压V的正端接（ ），负端接（ ）。
A． P区 B. N区
3．PN结具有单向导电性，其内部正向电流的导电方向是（ ）。
A．从P区到N区 B．从N区到P区
4．二极管的正向电阻越（ ），反向电阻越（ ），表明二极管的单向导电性能越好。
A． 大 B． 小
5．下图中D1、D2 、D3是性能完全一样的硅二极管，那么各管的状态为（ ）。
A． 导通 B． 截止
......
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二、选择题：(每号2分,共20分)
1．N型半导体多数载流子是（ ），少数载流子是（ ）；
P型半导体多数载流子是（ ），少数载流子是（ ）。
A． 空穴 B. 电子
2．PN结在外加电压V的作用下，当PN结正向导通时是指电压V的正端接（ ），负端接（ ）。
A． P区 B. N区
3．PN结具有单向导电性，其内部正向电流的导电方向是（ ）。
A．从P区到N区 B．从N区到P区
4．二极管的正向电阻越（ ），反向电阻越（ ），表明二极管的单向导电性能越好。
A． 大 B． 小
5．下图中D1、D2 、D3是性能完全一样的硅二极管，那么各管的状态为（ ）。
A． 导通 B． 截止
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资料文件预览
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- 高二《电子技术基础》期中试卷20003.11
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