重庆邮电学院（线性）电子电路(基础、技术)样题题
- 资源类别：试卷
- 资源分类：电子电工
- 适用专业：电子电路
- 适用年级：大学
- 上传用户：LOVE66
- 文件格式：word
- 文件大小：66.43KB
- 上传时间：2006-10-14 22:24:41
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资料简介
重庆邮电学院（线性）电子电路(基础、技术)样题题
一 单项选择题：(每小题2分，共20～30分)
作题要求：从每小题的备选答案中，选出一个正确答案，请将正确答案的代号填入空格内。
出题目标：考核相关知识概念，增加试卷的知识覆盖面。
出题范围：重点考核元器件所属的相关章节，以及其它题目未考察到的重要内容。
属于元器件相关章节的样题如下：
1. 在本征半导体中，空穴浓度 电子浓度。
a. 大于 ； b. 小于 ； c. 等于 d.不能确定。
2. 在杂质半导体中，少数载流子浓度主要取决于 。
a.温度 ； b.掺杂浓度 ； c.温度和掺杂浓度 d. 不能确定。
3. N沟道结型场效应管，在放大状态应用时，静态电压VGS应 。
a.为正； b. 为负 ； c. 为零 d.正负零都行。
......
一 单项选择题：(每小题2分，共20～30分)
作题要求：从每小题的备选答案中，选出一个正确答案，请将正确答案的代号填入空格内。
出题目标：考核相关知识概念，增加试卷的知识覆盖面。
出题范围：重点考核元器件所属的相关章节，以及其它题目未考察到的重要内容。
属于元器件相关章节的样题如下：
1. 在本征半导体中，空穴浓度 电子浓度。
a. 大于 ； b. 小于 ； c. 等于 d.不能确定。
2. 在杂质半导体中，少数载流子浓度主要取决于 。
a.温度 ； b.掺杂浓度 ； c.温度和掺杂浓度 d. 不能确定。
3. N沟道结型场效应管，在放大状态应用时，静态电压VGS应 。
a.为正； b. 为负 ； c. 为零 d.正负零都行。
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