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2009年模拟电路基础复习材料及答案
一、填空题
1.在P型半导体中,多数载流子是( 空隙 ),而少数载流子是( 自由电子 )。
2.在N型半导体中,多数载流子是( 电子 ),而少数载流子是( 空隙 )。
3.当PN结反向偏置时,电源的正极应接( N )区,电源的负极应接( P )区。
4.当PN结正向偏置时,电源的正极应接( P )区,电源的负极应接( N )区。
5.为了保证三极管工作在放大区,应使发射结( 正向 )偏置,集电结( 反向 )偏置。
6.根据理论分析,PN结的伏安特性为,其中被称为( 反向饱和 )
电流,在室温下约等于( 26mV )。
7.BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极( 漏极 )、( 栅极 )和( 源极 )与之对应。
8.在放大器中,为稳定输出电压,应采用( 电压取样 )负反馈,为稳定输出电流,应采用( 电流取样 )负反馈。
9.在负反馈放大器中,为提高输入电阻,应采用(串联-电压求和)负反馈,为降低输出电阻,应采用( 电压取样 )负反馈。
10. 放大器电路中引入负反馈主要是为了改善放大器( 的电性能 )。
11.在BJT放大电路的三种组态中,( 共集电极 )组态输入电阻最大,输出电阻最小。( 共射 )组态即有电压放大作用,又有电流放大作用。
12. 在BJT放大电路的三种组态中,( 共集电极 )组态的电压放大倍数小于1,( 共基 )组态的电流放大倍数小于1。
13.差分放大电路的共模抑制比KCMR=( ),通常希望差分放大电路的共模抑制比越( 大 )越好。
14.从三极管内部制造工艺看,主要有两大特点,一是发射区( 高掺杂 ),二是基区很 ( 薄 )并掺杂浓度( 最低 )。
15.在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后,它的差模放大倍数将( 不变 ),而共模放大倍数将( 减小 ),共模抑制比将( 增大 )。
16.多级级联放大器中常用的级间耦合方式有( 阻容 ),( 变压器 )和( 直接 )耦合三种。
17.直接耦合放大器的最突出的缺点是( 零点漂移 )。
18,集成运放主要由( 输入级 ),( 中间放大级 ),( 输出级 )和( 偏置电路 )4部分组成。
19.BJT三极管的直流偏置电路通常有( 固定基流 )电路和( 分压式 )电路两种。
20.负反馈放大电路增益的一般表达式,当时,这种反馈称
为( 负反馈 );当时,这种反馈称为( 正反馈 )。