学海网

湘潭大学2009年上学期《模拟电子技术》课程考试试卷及答案
1．某三极管共基电流放大系数，则共射电流放大系数 49 。当该三极管处于放大区时，如果基极电流为20uA，则集电极电流为 0.98 mA，发射极电流为 1 mA。
2．当输入信号频率为放大电路的转折频率fH时，则放大倍数下降为中频放大倍数的 0.707 倍，或者是下降了 3 dB。
3．为了稳定放大电路的直流分量应该引入 直流 负反馈；为了稳定电路的输出交流电压应该引入 电压 负反馈；为了提高电路的输入电阻应该引入 串联 负反馈。
4．某差动放大电路的输入信号 则该差动放大电路的差模信号
30 mV, 5 mV如果该差动放大电路的差模增益为100倍，共模增益为10倍，则输出电压为 3050 mV。
5．为了抑制1000Hz以下的信号应选用 高通 滤波器，为了抑制50Hz的交流电源的干扰，应选用 帶阻 滤波器。
6．理想电压型集成运算放大器的参数： ， 0 ， 0 。
7．二极管最显著的特性是 单向导电性 ，当硅二极管在正向导通时其两端的电压为 0.7 V。
二、选择题（每题2 分，共20分）
1．KCMR越大，说明电路（ C ）。
A 放大倍数越稳定 B 交流放大倍数越大
C 抑制温漂能力越强 D 输入信号中差模成分越大
2. 在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为2???V，?V，?V，则这只三极管是( A )。
A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管
C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管
3．某场效应管的转移特性如图1所示，该管为( C )。
A．P沟道增强型效应管
B．N沟道增强型效应管
C．N沟道结型效应管
D．N沟道耗尽型效应管