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合肥工业大学2004年电力电子技术试卷
一.填空（30分）
1.晶闸管的导通条件是____和____；关断条件是________。
2.三相全控桥式整流电路，交流输入电压U=220V，负载电阻R=1Ω，L=∞，反电势E=220V，当α=60时，输出平均电压Ud=____V，平均电流Id=____A，流过晶闸管的电流平均值Idt=____A，若不考虑安全裕量，选择晶闸管的额定电压为____V，额定电流为____A。
3.从开关频率、驱动、管压降等方面比较GTR、IGBT、MOSFET等器件的特性
GTR用____（电流、电压）驱动，管压降____（大、小），开关频率____（低、中、高）；IGBT用____（电流、电压）驱动，管压降____（大、小），开关频率____（低、中、高）；MOSFET用____（电流、电压）驱动，管压降____（大、小），开关频率____（低、中、高）4.下图为一DC-DC变换器，斩波频率为2KH，电感L足够大，Us=220V，E=100V，R=5Ω，每周期加在T的基极上的驱动信号时间为350us，则负载两端的平均电压为____V，流过负载的电流为____A。
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